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TIP140F	文件：62.72 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • Complement to TIP145F/146F/147F • High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, IC = 5A (Min.) • Industrial Use 文件：62.72 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP140F	文件：89.12 Kbytes Page：2 Pages	TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL 文件：89.12 Kbytes 页数：2 Pages	CDIL	CDIL
TIP140NPN	文件：327.1 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS Designed for General Purpose Amplifier and Low Frequency Switching Applications TO- 3PN Non Isolated Plastic Package 文件：327.1 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
TIP140T	文件：149.48 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= 5A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 60V(Min) • Complement to Type TIP145T APPLICATIONS • Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. 文件：149.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TIP140T	文件：52.75 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors Features • Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, IC = 5A (Min.) • Industrial Use • Complement to TIP145T/146T/147T 文件：52.75 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP140T	文件：571.15 Kbytes Page：5 Pages	Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors - High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= 2V, IC= 5A (Min.) - Collector-Emitter Sustaining Voltage - Low Collector-Emitter Saturation Voltage - Industrial Use - Complementary to TIP145/146/147 文件：571.15 Kbytes 页数：5 Pages	SEMIHOW	SEMIHOW
TIP140T	文件：69.96 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor Features • Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, lc = 5A (Min.) • Industrial Use • Complement to TIP145T/146T/147T 文件：69.96 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
TIP140T	文件：204.61 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(10A,60-100V,80W) DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS . . . designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications. 10 AMPERE DARLINGTIOON COM:EMEMTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 - 100 VOLTS 80 WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T -->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T ---> PNP 文件：204.61 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
TIP140_05	文件：91.24 Kbytes Page：7 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：91.24 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP140_12	文件：144.24 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：144.24 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
TIP140
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDX65,BDV65,BDV67,BDW83A,MJ3000,FH9C,
最大耗散功率：
125W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-71
vtest：
60
htest：
999900
atest：
10
wtest：
125

产品属性

产品编号：
TIP140
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-218-3
供应商器件封装：
TO-218
描述：
TRANS NPN 60V 10A TO218

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