TIP137G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
TIP137G规格书详情
Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
特性 Features
• High DC Current Gain −
hFE = 2500 (Typ) @ IC
= 4.0 Adc
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) − TIP131
= 100 Vdc (Min) − TIP132, TIP137
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc
= 3.0 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
- 型号：
TIP137G
- 功能描述：
达林顿晶体管 4A 100V Bipolar Power PNP
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流：
0.5 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
SOIC-18
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
8347 |
20 |
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TO-220 |
6200 |
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TO-3P |
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