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TIP137G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

TIP137G

功能描述

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

文件大小

61.1 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-27 12:00:00

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TIP137G规格书详情

Darlington Complementary Silicon Power Transistors

Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.

特性 Features

• High DC Current Gain −

hFE = 2500 (Typ) @ IC

= 4.0 Adc

• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) − TIP131

= 100 Vdc (Min) − TIP132, TIP137

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc

= 3.0 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc

• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors

• Pb−Free Packages are Available*

产品属性

  • 型号:

    TIP137G

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 4A 100V Bipolar Power PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

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