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TIP137分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TIP137

参数属性

TIP137 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO220

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

封装外壳

TO-220-3

文件大小

105.86 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-27 11:48:00

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TIP137规格书详情

DESCRIPTION

• High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= -4A

• Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -100V(Min)

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = -2.0V(Max)@ IC= -4A

• Complement to Type TIP132

APPLICATIONS

• Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications

产品属性

  • 产品编号:

    TIP137

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 30mA,6A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 8A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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