TIP137分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
TIP137 |
参数属性 | TIP137 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO220 |
功能描述 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
封装外壳 | TO-220-3 |
文件大小 |
61.1 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-7 23:01:00 |
人工找货 | TIP137价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
TIP137规格书详情
Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
Features
• High DC Current Gain −
hFE = 2500 (Typ) @ IC
= 4.0 Adc
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) − TIP131
= 100 Vdc (Min) − TIP132, TIP137
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc
= 3.0 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
- 产品编号:
TIP137
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
4V @ 30mA,6A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 4A,4V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
942 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3275 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
TI |
23+ |
DIP8 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST |
24+ |
NA |
6000 |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
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ST |
20+ |
TO220 |
26580 |
全新原装长期特价销售 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-220. |
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ST |
23+ |
TO-220 |
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24+ |
TO-220 |
20000 |
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ST 进口原装 |
19/20+ |
TO-220 |
1050 |
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ST/意法 |
24+ |
TO220 |
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