TIP137分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TIP137 |
| 参数属性 | TIP137 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 100V 8A TO220 |
| 功能描述 | Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
61.1 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-22 11:46:00 |
| 人工找货 | TIP137价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
TIP137三极管、TIP137晶体管、TIP137晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD266B,BD650,BD702,BD902,BDW74C,BDX54C,FC75B,
- 最大耗散功率：
70W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
70
TIP137规格书详情
Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
特性 Features
• High DC Current Gain −
hFE = 2500 (Typ) @ IC
= 4.0 Adc
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) − TIP131
= 100 Vdc (Min) − TIP132, TIP137
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc
= 3.0 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
- 产品编号：
TIP137
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 30mA，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
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