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TIP117	文件：1.42068 Mbytes Page：3 Pages	丝印：TIP117；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complementary to TIP112 文件：1.42068 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP117	文件：1.42068 Mbytes Page：3 Pages	丝印：TIP117；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complementary to TIP112 文件：1.42068 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
TIP117	文件：214.53 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistor Bare Die Features Collector current up to 2A Low VCE(sat) Very high hFE Solderable back metal High Reliability tested grades for Military + Space 文件：214.53 Kbytes 页数：2 Pages	SS	SS
TIP117	文件：99.23 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC MEDIUM-POWER COPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：99.23 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
TIP117	文件：102.89 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are designed for general purpose amplifier and low-speed switching applications. NPN complements are TIP110-111-112 Compliance to RoHS. 文件：102.89 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
TIP117	文件：271.16 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications 文件：271.16 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
TIP117	文件：456.45 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High DC Current Gain ● Low Collector-Emitter Saturation Voltage ● Complementary to TIP112 文件：456.45 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
TIP117	文件：97.94 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Power darlington Complementary transistors 文件：97.94 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
TIP117	文件：146.97 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W) 文件：146.97 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
TIP117	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：269.51 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

晶体管资料

型号：
TIP117
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD265B,BD702,BDW24C,BDW54C,BDW64C,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
2
wtest：
50

详细参数

型号：
TIP117
功能描述：
达林顿晶体管 PNP Power Darlington
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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