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TIP107	文件：550.61 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Monolithic Construction With Built In Base Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A (Min.) • Collector-Emitter Sustaining Voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Industrial Use • Complementary to TIP100/101/102 文件：550.61 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP107	文件：550.61 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistor Monolithic Construction With Built In Base Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A (Min.) • Collector-Emitter Sustaining Voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Industrial Use • Complementary to TIP100/101/102 文件：550.61 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP107	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features •High DC Current Gain −hFE = 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc •Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc VCEO(sus)= 60 Vdc (Min) − 文件：218.99 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP107	文件：50.15 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors Monolithic Construction With Built In Base Emitter Shunt Resistors • High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE= -4V, IC= -3A (Min.) • Collector-Emitter Sustaining Voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Industrial Use • Complementary to TIP100/101/102 文件：50.15 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP107	文件：26.06 Kbytes Page：2 Pages	Power Darlingtons for Linear and Switching Applications TIP100, 101, 102 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS TIP105, 106, 107 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS Power Darlingtons for Linear and Switching Applications 文件：26.06 Kbytes 页数：2 Pages	BOCA 博卡	BOCA
TIP107	文件：127.35 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC TIP107 is designed for using in general purpose amplifier and switching applications. FEATURES * Low VCE(SAT) * High Current Gain * Complementary to TIP102 文件：127.35 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
TIP107	文件：320.51 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTIC POWER TRANSISTORS Intended for use in Linear Switching Applications 文件：320.51 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
TIP107	文件：268.47 Kbytes Page：4 Pages	PNP Plastic Medium-Power Silicon Transistors Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • High DC Current Gain : hFE=2500 (Typ) @ IC=4.0Adc • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • Monolithic Construction with Built-in Base-Emitter Shunt Resistors • TO-220 Compac 文件：268.47 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
TIP107	文件：200.04 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(8A,60-100V,80W) 8 Ampere DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 80 WATTS TIP100,TIP101,TIP102 --> NPN TIP105,TIP106,TIP107 --> PNP 文件：200.04 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
TIP107	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60– 80– 100 VOLTS 80 WATTS . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain —hFE= 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc • Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc 文件：218.99 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

晶体管资料

型号：
TIP107
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）_开关管（S
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD646,BD898,BDW74A...D,BDX54A...F,3CA10,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
8
wtest：
80

产品属性

产品编号：
TIP107
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP DARL 100V 8A TO220

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