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TIP107分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号	TIP107
参数属性	TIP107 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
功能描述	DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
封装外壳	TO-220-3
文件大小	218.99 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	MOTOROLA
中文名称	摩托罗拉
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-1-19 22:59:00
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晶体管资料

型号：
TIP107
别名：
TIP107三极管、TIP107晶体管、TIP107晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）_开关管（S
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD646,BD898,BDW74A...D,BDX54A...F,3CA10,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
8
wtest：
80

TIP107规格书详情

DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60– 80– 100 VOLTS

80 WATTS

. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.

• High DC Current Gain —hFE= 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc

• Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mAdc

VCEO(sus)= 60 Vdc (Min) — TIP100, TIP105

VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — TIP101, TIP106

VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — TIP102, TIP107

• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —

VCE(sat)= 2.0 Vdc (Max) @ IC= 3.0 Adc

VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC= 8.0 Adc

• Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors

• TO–220AB Compact Package

产品属性

产品编号：
TIP107
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP DARL 100V 8A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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