TIP107分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	TIP107
参数属性	TIP107 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
功能描述	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
封装外壳	TO-220-3
文件大小	218.99 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-1-23 17:46:00
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TIP107规格书详情

TIP107属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的TIP107晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors

Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.

特性 Features

•High DC Current Gain −hFE = 2500 (Typ) @ IC= 4.0 Adc

•Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc

VCEO(sus)= 60 Vdc (Min) − TIP100, TIP105

= 80 Vdc (Min) − TIP101, TIP106

= 100 Vdc (Min) − TIP102, TIP107

•Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat)= 2.0 Vdc (Max) @ IC

= 3.0 Adc

= 2.5 Vdc (Max) @ IC= 8.0 Adc

•Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Shunt Resistors

•Pb−Free Packages are Available

产品属性

产品编号：
TIP107
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 80mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 3A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP DARL 100V 8A TO220

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