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TIP130	文件：90.06 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP130,TIP131andTIP132aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfiguration,mountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP135,TIP136and	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP130	文件：100.65 Kbytes Page：3 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS NPNepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe. Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP135/136/137 CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
TIP130NPN	文件：332.98 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP131	文件：150.99 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(8.0A,60-100V,70W) PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS 8.0AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS70WATTS	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP131	文件：61.1 Kbytes Page：4 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain− hFE=2500(Typ)@IC =4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=80Vdc(Min)−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP131	文件：72.69 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearandSwitchingApplications	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP131	文件：93.39 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •Collectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP135/136/137 APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP131	文件：141.22 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithTIP135,TIP136andTIP137 ●70Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof1000at4V,4A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP131	文件：41.49 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP130,TIP131andTIP132aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfiguration,mountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP135,TIP136andTIP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP131	文件：105.9 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=4A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=80V(Min) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=4A •ComplementtoTypeTIP136 APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-sp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
TIP1
功能描述：
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TIP1供应商更新时间2025-7-23 9:01:00

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