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TIP112L-TN3-R	文件：189.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR 文件：189.65 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
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TIP112L-TN3-T	文件：189.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR 文件：189.65 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
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TIP115	文件：99.95 Kbytes Page：8 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：99.95 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP115	文件：148.66 Kbytes Page：8 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors 文件：148.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TIP115	文件：378.73 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistors 文件：378.73 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
TIP115	文件：467.85 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Silicon Darlington Transistors 文件：467.85 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
TIP115	文件：76.15 Kbytes Page：3 Pages	TO-220 - Power Transistors and Darlingtons 文件：76.15 Kbytes 页数：3 Pages	RECTRON 丽正	RECTRON
TIP115	文件：124.66 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors 文件：124.66 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

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晶体管资料

型号：
TIP04
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
2.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BU126,BU211,BUY23A,BUY75,3DK305G,
最大耗散功率：
65W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
300
htest：
999900
atest：
2.5
wtest：
65

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
IC Continuous (A)：
8
V(BR)CEO Min (V)：
60
VCE(sat) Max (V)：
2
hFE Min (k)：
1
hFE Max (k)：
20
fT Min (MHz)：
4
Package Type：
TO-220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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