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TIP111	文件：175 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP115/116/117 APPLICATIONS •Forindustrialuse	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP111	文件：49.25 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •ComplementarytoTIP115/116/117 •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=1A(Min.) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP111	文件：99.95 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP111	文件：72.48 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications TO-220PlasticPackage	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
TIP111	文件：285.31 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
TIP111	文件：271.16 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP111	文件：148.66 Kbytes Page：8 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP111	文件：103.57 Kbytes Page：3 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS NPNepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe. Theyaredesignedforgeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. PNPcomplementsareTIP115-116-117 CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
TIP111	文件：286.11 Kbytes Page：2 Pages	DARLINGTONTRANSISTOR(NPN)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
TIP111	文件：124.43 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC

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详细参数

型号：
TIL111TM
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 6-Pin Optocoupler Transistor
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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