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TIP111分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

TIP111

厂商型号	TIP111
参数属性	TIP111 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 80V 2A TO220-3
功能描述	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
封装外壳	TO-220-3
文件大小	103.57 Kbytes
页面数量	3 页
生产厂商	Comset Semiconductor
企业简称	COMSET
中文名称	Comset Semiconductor官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-6-25 22:59:00
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TIP111规格书详情

SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe.

They are designed for general purpose amplifier and low-speed switching applications.

PNP complements are TIP115-116-117

Compliance to RoHS.

产品属性

产品编号：
TIP111
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 8mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN DARL 80V 2A TO220-3

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