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TIOL111DMWT	文件：1.69248 Mbytes Page：33 Pages	IO-LinkDeviceTransceiverswithIntegratedSurgeProtection	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TIOL111X	文件：1.69248 Mbytes Page：33 Pages	IO-LinkDeviceTransceiverswithIntegratedSurgeProtection	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TIP111	文件：101.68 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP115,TIP116andTIP117 ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof500at4V,2A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
TIP111	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors PlasticMedium-PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain− hFE=2500(Typ)@IC =1.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP111	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON2AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP111	文件：146.97 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP111	文件：153.15 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICMEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
TIP111	文件：194.09 Kbytes Page：4 Pages	DarlingtonPowerTransistors(NPN) DarlingtonPowerTransistors(NPN) Features •Designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeed switchingapplications •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
TIP111	文件：122.78 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP115/116/117 APPLICATIONS •Forindustrialuse	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP111	文件：234.52 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
TIL111_Q
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 DIP-6 PHOTO TRANS
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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