TIP111分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

TIP111属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的TIP111晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.

特性 Features

• High DC Current Gain −

hFE = 2500 (Typ) @ IC

= 1.0 Adc

• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc

VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − TIP110, TIP115

= 80 Vdc (Min) − TIP111, TIP116

= 100 Vdc (Min) − TIP112, TIP117

• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −

VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC

= 2.0 Adc

• Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Shunt Resistors

• Pb−Free Packages are Available*