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TIC225D	文件：108.37 Kbytes Page：1 Pages	isc Triacs 文件：108.37 Kbytes 页数：1 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TIC225D	文件：50.28 Kbytes Page：1 Pages	Sensitive Gate Triacs 文件：50.28 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
TIC225E	文件：164.75 Kbytes Page：4 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR 文件：164.75 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
TIC225M	文件：50.01 Kbytes Page：1 Pages	Sensitive Gate Triacs 文件：50.01 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
TIC225M	文件：164.75 Kbytes Page：4 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR 文件：164.75 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
TIC225M	文件：108.37 Kbytes Page：1 Pages	isc Triacs 文件：108.37 Kbytes 页数：1 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TIC225N	文件：164.75 Kbytes Page：4 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR 文件：164.75 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
TIC225S	文件：164.75 Kbytes Page：4 Pages	SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR 文件：164.75 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
TIC225S-S	文件：182.23 Kbytes Page：4 Pages	Sensitive Gate Triacs 文件：182.23 Kbytes 页数：4 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
TIC226	文件：181.73 Kbytes Page：4 Pages	SILICON TRIACS 文件：181.73 Kbytes 页数：4 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns

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晶体管资料

型号：
TIC225M
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Triac
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
600V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
TAG227-600,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
600
htest：
999900
atest：
8
wtest：
0

技术参数

电压 - 断态：
600V
电流 - 通态（It（RMS））（最大值）：
8A
电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）：
2V
电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）：
70A @ 50Hz
电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）：
5mA
电流 - 保持（Ih）（最大值）：
20mA
配置：
单一
工作温度：
-40°C ~ 110°C（TC）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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