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TIP106	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS PlasticMedium−PowerComplementarySiliconTransistors Designedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector−EmitterSustainingVoltage−@30mAdc VCEO(sus)=60Vdc(Min)−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP106	文件：218.99 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60–80–100VOLTS 80WATTS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain—hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •Collector–EmitterSustainingVoltage—@30mAdc	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
TIP106	文件：50.15 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBaseEmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) •Collector-EmitterSustainingVoltage •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IndustrialUse •ComplementarytoTIP100/101/102	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP106	文件：26.06 Kbytes Page：2 Pages	PowerDarlingtonsforLinearandSwitchingApplications TIP100,101,102NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS TIP105,106,107PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS PowerDarlingtonsforLinearandSwitchingApplications	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
TIP106	文件：75.05 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICPOWERTRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinLinearSwitchingApplications	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
TIP106	文件：93.61 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •DARLINGTON •HighDCcurrentgain •Lowcollectorsaturationvoltage •ComplementtotypeTIP100/101/102 APPLICATIONS •Forindustrialuse	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
TIP106	文件：107.41 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=-3A •Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-80V(Min) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-3A =	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP106	文件：750.33 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP100/101/102	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP106	文件：268.47 Kbytes Page：4 Pages	PNPPlasticMedium-PowerSiliconTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •HighDCCurrentGain:hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterShuntResistors •TO-220Compac	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
TIP106	文件：134.01 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
TIC106N-S
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶闸管 - SCR
包装：
散装
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：
30A @ 50Hz
SCR 类型：
灵敏栅极
工作温度：
-40°C ~ 110°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
SCR 700V 5A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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