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TH58NYG2S3HBAI4	文件：868 Kbytes Page：2 Pages	SLC NAND & BENAND Reliability and Performance	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TH58NYG2S3HBAI4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：63-BGA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA	Kioxia America, Inc. Kioxia America, Inc.	Kioxia America, Inc.

产品属性

产品编号：
TH58NYG2S3HBAI4
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
4Gb（512M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
63-BGA
供应商器件封装：
63-BGA（9x11）
描述：
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

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