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TH58NYG2S3HBAI4中文资料NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)数据手册Toshiba规格书
| 厂商型号 |
TH58NYG2S3HBAI4 |
| 参数属性 | TH58NYG2S3HBAI4 封装/外壳为63-BGA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA |
| 功能描述 | NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
| 封装外壳 | 63-BGA |
| 制造商 | Toshiba Toshiba Semiconductor |
| 中文名称 | 东芝 株式会社东芝 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 9:31:00 |
| 人工找货 | TH58NYG2S3HBAI4价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
TH58NYG2S3HBAI4
- 制造商：
Kioxia America, Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
FLASH - NAND（SLC）
- 存储容量：
4Gb（512M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
25ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
63-BGA
- 供应商器件封装：
63-BGA（9x11）
- 描述：
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
22+ |
BGA |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
Kioxia |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
BGA |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
Kioxia |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
19+ |
BGA |
2089 |
原装现货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
BGA |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Toshiba Memory America, Inc. |
24+ |
- |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
2405+ |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 |
