TH58NYG2S3HBAI4_集成电路(IC) 存储器-Kioxia America, Inc.

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  • 厂家型号:

    TH58NYG2S3HBAI4

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 库存数量:

    103

  • 类别:

    集成电路(IC) 存储器

  • 封装外壳:

    63-BGA

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 更新时间:

    2025-8-2 13:30:00

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原厂料号:TH58NYG2S3HBAI4品牌:Kioxia America, Inc.

资料说明:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

TH58NYG2S3HBAI4是集成电路(IC) > 存储器。制造商Kioxia America, Inc.生产封装63-BGA的TH58NYG2S3HBAI4存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

  • 芯片型号:

    th58nyg2s3hbai4

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 资料说明:

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    TH58NYG2S3HBAI4

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存储容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-BGA

  • 供应商器件封装:

    63-BGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA

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