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TH58BYG2S3HBAI6 集成电路(IC)存储器 TOSHIBA/东芝
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
TH58BYG2S3HBAI6
- 制造商:
Kioxia America, Inc.
- 类别:
- 系列:
Benand™
- 包装:
散装
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
FLASH - NAND(SLC)
- 存储容量:
4Gb(512M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
25ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
67-VFBGA
- 供应商器件封装:
67-VFBGA(6.5x8)
- 描述:
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
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