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TH58BYG2S3HBAI6集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

TH58BYG2S3HBAI6
厂商型号

TH58BYG2S3HBAI6

参数属性

TH58BYG2S3HBAI6 封装/外壳为67-VFBGA;包装为散装;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

功能描述

SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

封装外壳

67-VFBGA

文件大小

868 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    TH58BYG2S3HBAI6

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Benand™

  • 包装:

    散装

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存储容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    67-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    67-VFBGA(6.5x8)

  • 描述:

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

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