TF807L数据表ic资料行情报价瑞萨TAITRON-114ic电子网

首页 >TF807L>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
TF807L	文件：131.1 Kbytes Page：4 Pages	8.0A Fast Recovery Rectifier 文件：131.1 Kbytes 页数：4 Pages	TAITRON	TAITRON
UPA807	文件：56.87 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD FEATURES • Low Current, High Gain \|S21e\|2 = 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • A Super Mini Mold Package Adopted • Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5179) 文件：56.87 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA807T	文件：56.87 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD FEATURES • Low Current, High Gain \|S21e\|2 = 9 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz \|S21e\|2 = 8.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • A Super Mini Mold Package Adopted • Built-in 2 Transistors (2 × 2SC5179) 文件：56.87 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA807T	文件：252.11 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：252.11 Kbytes 页数：12 Pages	CEL	CEL

更多TF807L供应商更新时间2026-10-25 11:06:00