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PESD24VS2UT	文件：123.33 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION Uni-directionaldoubleESDprotectiondiodesinaSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesfromElectroStaticDischarge(ESD)damage. FEATURES •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/2	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PESD24VS2UT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PESD24VS2UT	文件：250.44 Kbytes Page：14 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package FEATURES •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20μs •Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A •Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM23kV •IEC61000-4-2;level4(ESD) •IEC61000-4-5(su	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD24VS2UT	文件：555.77 Kbytes Page：4 Pages	300Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Features 300Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Bidirectionalandunidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)6A(8/20μs) Applica	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD24VS2UT-Q	文件：244.4 Kbytes Page：11 Pages	DoubleESDprotectiondiode 1.Generaldescription Uni-directionaldoubleESDprotectiondiodeinaSOT23plasticpackage.Designedtoprotectupto twotransmissionordatalinesfromElectroStaticDischarge(ESD)damage. 2.Featuresandbenefits •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsep	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
TESD24VS2BT	文件：189.6 Kbytes Page：5 Pages	200W,24VESDProtectionArray	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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