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PESD24VS2UT-Q	文件：244.4 Kbytes Page：11 Pages	Double ESD protection diode 1.Generaldescription Uni-directionaldoubleESDprotectiondiodeinaSOT23plasticpackage.Designedtoprotectupto twotransmissionordatalinesfromElectroStaticDischarge(ESD)damage. 2.Featuresandbenefits •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsep	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
DESD24VS2SO	文件：218.09 Kbytes Page：4 Pages	24VCAN/LINBUSPROTECTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ESD24VS2U	文件：624.2 Kbytes Page：10 Pages	SiliconTVSdiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
ESD24VS2U	文件：617.03 Kbytes Page：10 Pages	SiliconTVSdiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
PESD24VS2UAT	文件：241.54 Kbytes Page：14 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package FEATURES ·UnidirectionalESDprotectionofuptotwolines ·Common-cathodeconfiguration ·Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20ms ·Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A ·Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM30kV ·IEC61000-4-2;lev	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD24VS2UAT	文件：241.56 Kbytes Page：11 Pages	DoubleESDprotectiondiodeinSOT23package 1.Generaldescription UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodeincommoncathodeconfigurationinasmallSOT23 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotectuptotwodatalinesagainst damagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. 2.Featuresandbene	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD24VS2UAT	文件：122.37 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES •UnidirectionalESDprotectionofupt	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD24VS2UAT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD24VS2UAT	文件：237.44 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION UnidirectionaldoubleESDprotectiondiodesincommoncathodeconfigurationintheSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesagainstdamagefromElectroStaticDischarge(ESD)andothertransients. FEATURES •UnidirectionalESDprotectionofupt	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD24VS2UQ	文件：121.16 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD24VS2UQ	文件：304.69 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectuptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. Features ■UnidirectionalE	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD24VS2UQ	文件：171.73 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD24VS2UQ	文件：675.27 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package 1.1Generaldescription UnidirectionaldoubleElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOT663ultra smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotect uptotwosignallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Appl	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD24VS2UT	文件：555.77 Kbytes Page：4 Pages	300Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Features 300Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Bidirectionalandunidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)6A(8/20μs) Applica	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
PESD24VS2UT	文件：235.89 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION Uni-directionaldoubleESDprotectiondiodesinaSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesfromElectroStaticDischarge(ESD)damage. FEATURES •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/2	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD24VS2UT	文件：235.89 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PESD24VS2UT	文件：123.33 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION Uni-directionaldoubleESDprotectiondiodesinaSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesfromElectroStaticDischarge(ESD)damage. FEATURES •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/2	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD24VS2UT	文件：250.44 Kbytes Page：14 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package FEATURES •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20μs •Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A •Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM23kV •IEC61000-4-2;level4(ESD) •IEC61000-4-5(su	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
TESD24VS2BT	文件：189.6 Kbytes Page：5 Pages	200W,24VESDProtectionArray	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

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