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PESD24VS2UQ	文件：121.16 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT663package	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD24VS2UT	文件：235.89 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD24VS2UT	文件：123.33 Kbytes Page：13 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package DESCRIPTION Uni-directionaldoubleESDprotectiondiodesinaSOT23plasticpackage.DesignedtoprotectuptotwotransmissionordatalinesfromElectroStaticDischarge(ESD)damage. FEATURES •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/2	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD24VS2UT	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD24VS2UT	文件：555.77 Kbytes Page：4 Pages	300Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Features 300Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Bidirectionalandunidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)6A(8/20μs) Applica	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD24VS2UT	文件：250.44 Kbytes Page：14 Pages	DoubleESDprotectiondiodesinSOT23package FEATURES •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsepower:Ppp=330Wattp=8/20μs •Lowclampingvoltage:V(CL)R=20VatIpp=18A •Ultra-lowreverseleakagecurrent:IRM23kV •IEC61000-4-2;level4(ESD) •IEC61000-4-5(su	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD24VS2UT-Q	文件：244.4 Kbytes Page：11 Pages	DoubleESDprotectiondiode 1.Generaldescription Uni-directionaldoubleESDprotectiondiodeinaSOT23plasticpackage.Designedtoprotectupto twotransmissionordatalinesfromElectroStaticDischarge(ESD)damage. 2.Featuresandbenefits •Uni-directionalESDprotectionofuptotwolines •Max.peakpulsep	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
TESD24VS2BT
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
24V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
25.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
70V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
3A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
200W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
11pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TVS DIODE 24VWM 70VC SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	TESD24VS2BT	Taiwan Semiconductor(台湾半导	24+	SOT23(TO236)	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
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