4 x 50 W power amplifier with high efficiency and built-in I2C diagnostic

Features  Multipower BCD technology  MOSFET output power stage  DMOS power output  New high efficiency (class SB)  High output power capability 4 x 28 W / 4 Ω @ 14.4 V, 1 kHz, 10 % THD, 4 x 50 W max power  Max. output power 4 x 72 W / 2 Ω  Full I2C bus driving: – Standby – Ind

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

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