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E-TDA7478AD	文件：168.88 Kbytes Page：8 Pages	SINGLECHIPRDSDEMODULATOR DESCRIPTION TheTDA7478recoverstheadditionalinaudibleRDSinformationwhichistransmittedbyFMradiobroadcastingstationsandoperatesinaccordancewiththeEBU(EuropeanBroadcastingUnion)specifications. FEATURES ■VERYHIGHRDSDEMODULATIONQUALITYWITHIMPROVEDDIGITALSIGNA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF7478	文件：491.21 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch60VFastSwitchingMOSFETs 100%EASGuaranteed GreenDeviceAvailable SuperLowGateCharge ExcellentCdV/dteffectdecline AdvancedhighcelldensityTrenchtechnology	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7478	文件：209.14 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V) Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478PBF	文件：128.38 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478PBF	文件：133.78 Kbytes Page：8 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478PBF	文件：133.78 Kbytes Page：8 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478QPBF	文件：214.59 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET Description TheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesebenefitscombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. TheefficientSO-8pa	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478QPBF	文件：194.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesebenefitscombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. TheefficientSO-8pa	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478QTRPBF	文件：194.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalancherating.Thesebenefitscombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. TheefficientSO-8pa	IRF International Rectifier	IRF
IRF7478TRPBF	文件：1.88222 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
TDA7478D
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
SINGLE CHIP RDS DEMODULATOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TDA7478D供应商更新时间2025-5-24 14:01:00

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