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TZ1006AC	文件：213.6 Kbytes Page：7 Pages	TuningForkCrystalUnit3.2x1.532.768KHz Features: CeramicSeamWeldPackage ExcellentReliabilityPerformance UltraMiniaturePackage AvailabletoSurfaceMountTechnologyandIRReflowProcess DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx1.5mmcrystalunitforuseincommunicationsdevices,.	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ1006AD	文件：302.71 Kbytes Page：10 Pages	TuningForkCrystalUnit3.2x1.532.768KHz Features: CeramicSeamWeldPackage ExcellentReliabilityPerformance UltraMiniaturePackage AvailabletoSurfaceMountTechnologyandIRReflowProcess MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx1.5mmcrystalunitforuseincommunicatio	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ1006AE	文件：304.11 Kbytes Page：10 Pages	TuningForkCrystalUnit3.2x1.532.768KHz Features: CeramicSeamWeldPackage ExcellentReliabilityPerformance UltraMiniaturePackage AvailabletoSurfaceMountTechnologyandIRReflowProcess MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx1.5mmcrystalunitforuseincommunicatio	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UD1006FR	文件：193.78 Kbytes Page：3 Pages	LowVFSwitchingDiode Features •VRRM=600V •VF=1.3Vmax(IF=10A) •trr=60ns(typ)(IF=0.5A,IR=1A) •Halogenfreecompliance	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
UD1006FR	文件：205.63 Kbytes Page：5 Pages	PlanarUltrafastRectifier PlanarUltrafastRectifier LowVFtype,10A,600V,1.3V,TO-220F-2FS Features •VRRM=600V •VF=1.3Vmax(IF=10A) •trr=60ns(typ)(IF=0.5A,IR=1A) •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
UD1006FR-H	文件：306.41 Kbytes Page：5 Pages	DiffusedJunctionSiliconDiodeLowVFSwitchingDiode	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
UD1006FR-H	文件：205.63 Kbytes Page：5 Pages	PlanarUltrafastRectifier PlanarUltrafastRectifier LowVFtype,10A,600V,1.3V,TO-220F-2FS Features •VRRM=600V •VF=1.3Vmax(IF=10A) •trr=60ns(typ)(IF=0.5A,IR=1A) •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
UF1006	文件：86 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
UF1006	文件：54.79 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERDIODE PRV:50~1000Volts Io:1.0Ampere FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
UF1006	文件：50.44 Kbytes Page：4 Pages	10AGLASSPASSIVATEDULTRAFASTRECTIFIER	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

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详细参数

型号：
TCLT1006
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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