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TSMBJ1006C	文件：179.61 Kbytes Page：1 Pages	Bi-Directional100Amp50-270VoltsThyristorSurgeProtectiveDevice Bi-Directional100Amp50-270VoltsThyristorSurgeProtectiveDevice(TSPD)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
TSMBJ1006C	文件：426.41 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageProtectionDevice75to320Volts Features •Oxide-GlasspassivatedJunction •Bi-Directionalprotectioninasingledevice •Surgecapabilitiesupto100A@10/1000usor400A@8/20us •HighOff-StateimpedanceandLowOn-Statevoltage •PlasticmaterialhasULflammabilityclassification94V-0	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
TU1006	文件：201.85 Kbytes Page：4 Pages	10ABridgeRectifiers 10ABridgeRectifiers Features •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highreliability •Highforwardsurgecurrentcapability •Idealforprintedcircuitboard •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10seconds,/.375(9.5mm)leadlengthat5lbs.(2.3kg)tension •	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
TU1006G	文件：195.23 Kbytes Page：4 Pages	10AGlassPassivatedBridgeRectifier Features •Glasspassivatedchipjunction •Lowforwardvoltagedrop •Highreliability •Idealforprintedcircuitboards •Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10secondsat5lbs.(2.3kg)tension •RoHScompliant MechanicalData Case:TU,EpoxymeetsUL94V-0fl	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
TYN1006	文件：250.12 Kbytes Page：4 Pages	Siliconcontrolledrectifiers DESCRIPTION TheTYN056--->TYN1006FamilyofSiliconControlledRectifiersarehighperformanceglasspassivatedtechnology. ThisgeneralpurposeFamilyofSiliconControlledRectifiersisdesignedforpowersupplyupto400Hzonresistiveorinductiveload. FEATURES ■Highsurgecapabilit	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TYN1006	文件：223.8 Kbytes Page：4 Pages	SCR DESCRIPTION TheTYN606andTYN1006familyofSiliconControlledRectifiersarehighperformanceglasspassivatedtechnology. ThisgeneralpurposeFamilyofSiliconControlledRectifiersisdesignedforpowersupplyupto400Hzonresistiveorinductiveload. MainFeatures IT(RMS)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TYN1006	文件：65.41 Kbytes Page：6 Pages	6ASCRS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TYN1006RG	文件：65.41 Kbytes Page：6 Pages	6ASCRS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TZ1006A	文件：7.43326 Mbytes Page：8 Pages	YourBestPartnerForFrequencyDevices	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ1006A	文件：201.79 Kbytes Page：8 Pages	TuningForkCrystalUnit3.2x1.532.768KHz Features: CeramicSeamWeldPackageorCeramicGlassSealPackage ExcellentReliabilityPerformance UltraMiniaturePackage AvailabletoSurfaceMountTechnologyandIRReflowProcess DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx1.5mmcrystalunitforuseincommunicationsdevices,.	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW

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详细参数

型号：
TCLT1006
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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