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TMR1202T	文件：1.40579 Mbytes Page：10 Pages	MicroAmpereHighFrequencyResponseBipolarLatchingMagneticSwitchSensor Description TMR1202/TMR1208isabipolarlatchingmagnetic switchintegratedthetunnelmagnetoresistance (TMR)magneticsensorandCMOScircuitry,which isabletodetectthechangeofmagneticfieldand outputhighandlowvoltagesignalsforhighaccuracy positiondetection. UnlikeHall/	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多维科技江苏多维科技有限公司	MULTIDIMENSION
TPLD1202	文件：1.26357 Mbytes Page：15 Pages	TPLD1202-Q1AutomotiveProgrammableLogicDevicewithI2C/SPIand10-GPIO 1Features •Operatingcharacteristics –Extendedtemperaturerange:-40°Cto125°C –Widesupplyvoltagerange:1.71Vto5.5V –Qualifiedforautomotiveapplications •Configurablemacro-cells –2-,3-,and4-bitlookuptables –D-typeflip-flopsandlatcheswithandwithout reset/setopt	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPLD1202	文件：1.68982 Mbytes Page：21 Pages	TPLD1202ProgrammableLogicDevicewithI2C/SPIand10-GPIO 1Features •Operatingcharacteristics –Extendedtemperaturerange:-40°Cto125°C –Widesupplyvoltagerange:1.71Vto5.5V •Configurablemacro-cells –2-,3-,and4-bitlookuptables –D-typeflip-flopsandlatcheswithandwithout reset/setoption –8-bitshiftregister –16-bitpat	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
U1202	文件：1.12243 Mbytes Page：36 Pages	SurgeProtection	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
VACR1202	文件：124.45 Kbytes Page：5 Pages	AluminumHousedCompactWirewoundResistor FEATURES •Powerratingupto500W •Highoverloadcapacity •ProtectionIP20orIP65 •Enhancedhumidityprotection •Completehousedconstruction •Multipleconstructionforhigherpowerrating •Heatsinkmounting •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBE1202	文件：660.66 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1202	文件：573.26 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1202M	文件：666.26 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1202M	文件：434.57 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemount •Low-profilethrough-hole •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1202N	文件：416.63 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel200V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •ThunderFET®powerMOSFET •Maximum175°Cjunctiontemperature •100RgandUIStested APPLICATIONS •Powersupplies: -Uninterruptiblepowersupplies -AC/DCswitch-modepowersupplies -Lighting •Synchronousrectification •DC/DCconverter •Motordriveswitch •DC/ACin	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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