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TIP142F	文件：62.72 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •ComplementtoTIP145F/146F/147F •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=5A(Min.) •IndustrialUse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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TIP142G	文件：91.24 Kbytes Page：7 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TIP142G	文件：144.24 Kbytes Page：8 Pages	DarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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TIP142T	文件：204.61 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(10A,60-100V,80W) DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. 10AMPEREDARLINGTIOONCOM:EMEMTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T-->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T--->PNP	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP142T	文件：52.75 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP142T	文件：111.12 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=5A •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min) •ComplementtoTypeTIP147T APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed switchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP142T	文件：161.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL

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