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TIP142F	文件：62.72 Kbytes Page：4 Pages	Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors Monolithic Construction With Built In Base-Emitter Shunt Resistors • Complement to TIP145F/146F/147F • High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, IC = 5A (Min.) • Industrial Use 文件：62.72 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TIP142F	文件：89.12 Kbytes Page：2 Pages	TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL 文件：89.12 Kbytes 页数：2 Pages	CDIL	CDIL
TIP142F	文件：60.02 Kbytes Page：2 Pages	SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS For use in Power Linear and Switching Applications 文件：60.02 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
TIP142F	文件：154.95 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：154.95 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
TIP142F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF	NJS 新泽西半导体	NJS
TIP142FTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 10A TO3PF	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
TIP142F
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
绝缘(ISO)
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDX65B,BDV65B,BDV67A,BDW83C,MJ3001,FH9D,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-70
vtest：
100
htest：
999900
atest：
10
wtest：
60

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
1000@5A@4V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Continuous DC Collector Current：
10A
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum Collector Base Voltage：
100V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
3.5@40mA@10AV
Configuration：
Single

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更多TIP142F供应商更新时间2026-4-11 15:30:00

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