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UPA835	文件：71.64 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITH2DIFFERENTELEMENTSINAFLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLDPACKAGE DESCRIPTION TheµPA835TChasbuilt-intwodifferenttransistors(Q1andQ2)forlownoiseamplificationintheVHFbandtoUHFband. FEATURES •Lownoise Q1:NF=1.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=3V,IC=3mA Q2:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA835TC	文件：71.64 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITH2DIFFERENTELEMENTSINAFLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLDPACKAGE DESCRIPTION TheµPA835TChasbuilt-intwodifferenttransistors(Q1andQ2)forlownoiseamplificationintheVHFbandtoUHFband. FEATURES •Lownoise Q1:NF=1.5dBTYP.@f=2GHz,VCE=3V,IC=3mA Q2:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain Q	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA835TF	文件：72.41 Kbytes Page：10 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA835TFhastwodifferentbuilt-intransistorsforlowcostamplifierandoscillatorapplicationsintheVHF/UHFband.Lownoisefigures,highgain,highcurrentcapability,andmediumoutputgivethisdevicehighdynamicrangeandexcellentlinearityfortwo-stageamplifiers.Th	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA835TF	文件：208.74 Kbytes Page：14 Pages	SiliconTransistor NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC835	文件：289.7 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Inputoffsetvoltage±3mVMAX. •Slewrate5.5V/μsTYP. •Unitygainfrequency2.8MHzTYP. •LowpowerICC≤2.2mAMAX. (Reducescircuitcurrentswhilemaintainingrelativelyhighslewrateandbandwidth) •Highstabilityissecuredtocapacitiveloads (4000pF,AV=+1) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPS835L	文件：488.19 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER8AMP35VOLT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UPS835L	文件：54.62 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER8AMP35VOLT SURFACEMOUNT POWERMITE®3SurfaceMountPowerPackage Features •LowProfile–Maximumheightof1.1mm •FootprintAreaof16.51mm •LowVFProvidesHigherEfficiency •Suppliedin16mmTapeandReel–6000units/reel •LowThermalResistancewithDirectThermalPathofDieonExposedCa	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
USD835	文件：94.57 Kbytes Page：1 Pages	POWERSCHOTTKYRECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
USD835	文件：90.54 Kbytes Page：2 Pages	POWERSCHOTTKYRECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
VSC835	文件：162.03 Kbytes Page：18 Pages	34x34CrosspointSwitchwithSignalDetection GeneralDescription TheVSC835isamonolithic34x34asynchronouscrosspointswitch,designedtocarrybroadbanddatastreamsatupto2.5Gbit/s.Thenon-blockingswitchcoreisprogrammedthroughaparallelportinterfacethatallowsrandomaccessprogrammingofeachoutputport.Ahighdegree	VITESSE Vitesse Semiconductor Corporation	VITESSE

产品属性

产品编号：
TC835CKW
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 显示驱动器
包装：
管件
显示类型：
LED
配置：
7 段显示
接口：
BCD
数字或字符：
A/D，4.5 位数字
电压 - 供电：
4V ~ 6V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-QFP
供应商器件封装：
44-MQFP（10x10）
描述：
IC DRVR 7 SEG 4 1/2 DIGIT 44MQFP

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