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TC58NYG2S0HBAI6集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
TC58NYG2S0HBAI6 |
参数属性 | TC58NYG2S0HBAI6 封装/外壳为67-VFBGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA |
功能描述 | SLC NAND & BENAND Reliability and Performance |
封装外壳 | 67-VFBGA |
文件大小 |
868 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
中文名称 | 株式会社东芝官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 17:22:00 |
人工找货 | TC58NYG2S0HBAI6价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号:
TC58NYG2S0HBAI6
- 制造商:
Kioxia America, Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
FLASH - NAND(SLC)
- 存储容量:
4Gb(512M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
25ns
- 电压 - 供电:
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
67-VFBGA
- 供应商器件封装:
67-VFBGA(6.5x8)
- 描述:
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Toshiba |
24+ |
SMD |
15600 |
电可擦除可编程只读存储器1.8V |
询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
21700 |
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询价 | ||
Kioxia America Inc. |
25+ |
67-VFBGA |
9350 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
VFBGA67 |
3000 |
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询价 | ||
Kioxia |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
BGA |
23300 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
BGA |
5000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
2018+ |
BGA |
6528 |
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询价 | ||
Toshiba Memory America, Inc. |
21+ |
48-TFBGA |
5280 |
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