TC58NYG2S0HBAI6 集成电路（IC）存储器 Toshiba Memory America, Inc.

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厂家型号：
TC58NYG2S0HBAI6
产品分类：
集成电路（IC） > 存储器
生产厂商：
Toshiba Memory America, Inc.
库存数量：
5280
产品封装：
48-TFBGA
生产批号：
21+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-8-3 13:01:00

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详细信息
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原厂料号：TC58NYG2S0HBAI6品牌：Toshiba Memory America, Inc.

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TC58NYG2S0HBAI6是集成电路（IC） > 存储器。制造商Toshiba Memory America, Inc./Kioxia America, Inc.生产封装48-TFBGA/67-VFBGA的TC58NYG2S0HBAI6存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

芯片型号：
TC58NYG2S0HBAI6
规格书：
下载下载2
企业简称：
TOSHIBA【东芝】详情
厂商全称：
Toshiba Semiconductor
中文名称：
株式会社东芝
内容页数：
2 页
文件大小：
868 kb
资料说明：
SLC NAND & BENAND Reliability and Performance

产品属性

类型
描述
产品编号：
TC58NYG2S0HBAI6
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
4Gb（512M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
67-VFBGA
供应商器件封装：
67-VFBGA（6.5x8）
描述：
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

供应商

企业：
深圳市斌腾达科技有限公司
商铺：
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联系人：
赵小姐
手机：
13049883113
询价：
电话：
0755-82815082
传真：
0755-82815039
地址：
深圳市福田区华强北上步工业区501栋518

TC58NYG2S0HBAI6 集成电路（IC）存储器 Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG2S0HBAI6

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