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TC58NYG0S3HBAI6集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TC58NYG0S3HBAI6 |
| 参数属性 | TC58NYG0S3HBAI6 封装/外壳为67-VFBGA；包装为散装；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA |
| 功能描述 | NAND Flash Memory(SLC Middle Capacity) |
| 封装外壳 | 67-VFBGA |
| 文件大小 |
67.28 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | TOSHIBA |
| 中文名称 | 东芝 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-12 11:06:00 |
| 人工找货 | TC58NYG0S3HBAI6价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TC58NYG0S3HBAI6规格书详情
Product list of NAND Flash Memory SLC Middle Capacity.
产品属性
- 产品编号：
TC58NYG0S3HBAI6
- 制造商：
Kioxia America, Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
散装
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
FLASH - NAND（SLC）
- 存储容量：
1Gb（128M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
25ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
67-VFBGA
- 供应商器件封装：
67-VFBGA（6.5x8）
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
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