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TC58NYG1S3HBAI4数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
TC58NYG1S3HBAI4规格书详情
描述 Description
Capacity (bit)：2G
Tech. node (nm)：24
Page size (bit)：(2048+128)×8
Block size (bit)：(128K+8K)×8
I/O (bit)：8
Keyword：2Gbit SLC NAND, 1.8V, x8, 24nm, BGA
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
技术参数
- 制造商编号
：TC58NYG1S3HBAI4
- 生产厂家
：Toshiba
- Access Time (Serial Cycle) (Min)
：25 nsec
- Operational Temperature
：-40 to 85 ℃
- Supply Voltage
：1.70 to 1.95 V
- Block Erasing Time (Typ.)
：3.5 msec
- Program Time (Typ.)
：0.3 msec
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA(东芝) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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TOSHIBA |
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BGA |
20000 |
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BGA |
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TOSHIBA(东芝) |
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TOSHIBA |
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FBGA |
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Toshiba |
24+ |
SMD |
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电可擦除可编程只读存储器1.8V |
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TOSHIBA |
24+ |
BGA |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
BGA |
15000 |
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TOSHIBA/东芝 |
23+ |
BGA |
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