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MOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUITSILICONGATECMOS DESCRIPTION Thedeviceisasingle3.3V1-Gbit(553,648,128)bitNANDElectricallyErasableandProgrammableRead-Only Memory(NANDE2PROM)organizedas528bytesu32pagesu4096blocks.Thedevicehasa528-bytestaticregisterwhichallowsprogramandreaddatatobetransferredbetweent | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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