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TC58BYG0S3HBAI6	文件：300 bytes Page：1 Pages	BENAND (Built-in ECC SLCNAND) Capacity (bit)：1G\nTech. node (nm)：24\nPage size (bit)：(2048+64)×8\nBlock size (bit)：(128K+4K)×8\nI/O (bit)：8\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available	Toshiba 东芝	Toshiba
TC58BYG0S3HBAI6	文件：300 bytes Page：1 Pages	BENAND (Built-in ECC SLCNAND)	KIOXIA 铠侠	KIOXIA
TC58BYG0S3HBAI6	文件：1.40371 Mbytes Page：46 Pages	MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 文件：1.40371 Mbytes 页数：46 Pages	KIOXIA 铠侠	KIOXIA
TC58BYG0S3HBAI6	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：67-VFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA	Kioxia America, Inc.	Kioxia America, Inc.

产品属性

产品编号：
TC58BYG0S3HBAI6
制造商：
Kioxia America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
Benand™
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NAND（SLC）
存储容量：
1Gb（128M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
25ns
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
67-VFBGA
供应商器件封装：
67-VFBGA（6.5x8）
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TC58BYG0S3HBAI6供应商更新时间2025-10-4 13:30:00

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