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TC58BYG0S3HBAI6数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

TC58BYG0S3HBAI6

参数属性

TC58BYG0S3HBAI6 封装/外壳为67-VFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA

功能描述

BENAND (Built-in ECC SLCNAND)

封装外壳

67-VFBGA

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-9 20:00:00

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TC58BYG0S3HBAI6规格书详情

描述 Description

Capacity (bit):1G
Tech. node (nm):24
Page size (bit):(2048+64)×8
Block size (bit):(128K+4K)×8
I/O (bit):8
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

技术参数

  • 制造商编号

    :TC58BYG0S3HBAI6

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Access Time (Serial Cycle) (Min)

    :25 nsec

  • Operational Temperature

    :-40 to 85 ℃

  • Supply Voltage

    :1.7 to 1.95 V

  • Block Erasing Time (Typ.)

    :3.5 msec

  • Program Time (Typ.)

    :0.33 msec

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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