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TC58BYG0S3HBAI6集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TC58BYG0S3HBAI6 |
| 参数属性 | TC58BYG0S3HBAI6 封装/外壳为67-VFBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA |
| 功能描述 | MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| 封装外壳 | 67-VFBGA |
| 文件大小 |
1.40371 Mbytes |
| 页面数量 |
46 页 |
| 生产厂商 | KIOXIA |
| 中文名称 | 铠侠 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-11 23:01:00 |
| 人工找货 | TC58BYG0S3HBAI6价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
TC58BYG0S3HBAI6
- 制造商：
Kioxia America, Inc.
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 系列：
Benand™
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
FLASH - NAND（SLC）
- 存储容量：
1Gb（128M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
25ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
67-VFBGA
- 供应商器件封装：
67-VFBGA（6.5x8）
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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