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TC58BVG0S3HBAI4集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

TC58BVG0S3HBAI4
厂商型号

TC58BVG0S3HBAI4

参数属性

TC58BVG0S3HBAI4 封装/外壳为63-VFBGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA

功能描述

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

封装外壳

63-VFBGA

文件大小

1.41881 Mbytes

页面数量

46

生产厂商 KIOXIA Corporation
企业简称

KIOXIA铠侠

中文名称

铠侠株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-20 18:26:00

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产品属性

  • 产品编号:

    TC58BVG0S3HBAI4

  • 制造商:

    Kioxia America, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Benand™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存储容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-TFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63TFBGA

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