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TC518128APL-10

131,072WORDx8BITCMOSPSEUDOSTATICRAM

Description TheTC518128Aisa1MbithighspeedCMOSpseudostaticRAMorganizedas131,072wordsby8bits.TheTC518128Autilizes aonetransistordynamicmemorycellwithCMOSperipheralcircuitrytoprovidehighcapacity,highspeedandlowpowerstorage.The TC518128Aoperatesfromasing

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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