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AKD4421A	文件：341.66 Kbytes Page：19 Pages	192kHz24-BitStereo?誇DACwith2VrmsOutput	AKMAsahi Kasei Microsystems 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AKD4421A-SA	文件：600.01 Kbytes Page：22 Pages	AK4421AEvaluationBoardRev.1	AKMAsahi Kasei Microsystems 旭化成微电子旭化成微电子株式会社	AKM
AM4421P	文件：423.03 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AN4421	文件：173.51 Kbytes Page：11 Pages	MigratingfromM24LRtoM24SRseries	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AO4421	文件：115.28 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4421usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4412isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4421LisaGreenPr	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4421	文件：161.81 Kbytes Page：4 Pages	60VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4421	文件：1.6605 Mbytes Page：4 Pages	60VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4421combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS-60V ID(atV	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4421	文件：1.27644 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-60V ●ID=-6.2A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4421	文件：1.9433 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4421	文件：330.66 Kbytes Page：4 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·HighSpeedPowerSwitching,LogicLeve ·EnhancedAvalancheRuggedness ·DrainCurrent–ID=-6.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) APPLICATIONS ·LoadSwitches ·HardSwitchingandHighSpeedCircuit ·BLDCMotor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
TC4421VPA
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
9A，9A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
60ns，60ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

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