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TC4427VMF	文件：444.66 Kbytes Page：20 Pages	1.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TC4427VMF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-VDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TC4427VMF713	文件：444.66 Kbytes Page：20 Pages	1.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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AN4427	文件：1.13772 Mbytes Page：19 Pages	Gasketdesignforoptimalacousticperformance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AO4427	文件：142.48 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4427usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ThedeviceisESDprotected.StandardProductAO4427isPb-free(meetsROHS&	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4427	文件：997.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitches -NotebookPCs -DesktopPCs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4427	文件：174.72 Kbytes Page：4 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4427	文件：1.69995 Mbytes Page：4 Pages	30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4427usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.ThedeviceisESDprotected. ProductSummary VDS(V)=-30V I	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4427	文件：1.50179 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-12.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

产品属性

产品编号：
TC4427VMF
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.5A，1.5A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
19ns，19ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-DFN-S（6x5）
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN

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