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TBL080N06HB	文件：300 bytes Page：1 Pages	80A, 60V, 112W, N Channel, Power MOSFETs	Galaxy 银河微电	Galaxy
VSC080N06MS	文件：520.299 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested APPLICATIONS • Battery Switch • DC/DC Converter 文件：520.299 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
080N06N	文件：1.68923 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.68923 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
G080N06K	文件：661.39 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G080N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：661.39 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
IPB080N06NG	文件：446.46 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰 Power-Transistor 文件：446.46 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

AEC Qualified：
YES
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Single
Channel Polarity：
N
ESD：
N
TJ(°C)max.：
175
TJ(°C)min.：
-55
PD(W)Max.：
112
V(BR)DSS(V)Min.：
60
VGS(V)Max.：
±20
ID(A)Max.：
80
IGSS(uA)Max.：
±0.1
VGS(th)(V)Max.：
4
RDS(on)(mΩ)@10VTyp.：
6
RDS(on)(mΩ)@10VMax.：
8
ECCN(US)：
EAR99
Category：
中低压功率MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市盈慧通电子有限公司	TBL080N06HB	GALAXY/银河微	2511	TO-263	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	TBL080N06HD	NK/南科功率	2025+	TO-252-2	986966	国产	询价
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更多TBL080N06HB供应商更新时间2025-11-4 11:27:00

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