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FFSB1065B	文件：356.38 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSD1065A	文件：439.46 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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FFSM1065A	文件：467.2 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode650V,10A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSM1065B	文件：215.79 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP1065A	文件：301.34 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode650V,10A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP1065B	文件：278.59 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode650V,10A SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSPF1065A	文件：2.79432 Mbytes Page：28 Pages	CompactIntelligentPowerModule(IPM)MotorControlDevelopmentKit(MDK)1kW	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSPF1065A	文件：2.70362 Mbytes Page：26 Pages	CompactIntelligentPowerModuleBasedMotorEvaluationBoardwithInterleavedPowerFactorCorrection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
H1065-OPEN	文件：1.28399 Mbytes Page：7 Pages	ISL8225MEVAL3Z30A,SingleOutputEvaluationBoardSetupProcedure	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HAT1065R	文件：61.12 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT1065R-EL-E	文件：61.12 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT1065T	文件：90.62 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT1065T-EL-E	文件：90.62 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCB1065	文件：90.55 Kbytes Page：3 Pages	HCB1065Series	CYNTECCYNTEC co ltd Cyntec信泰	CYNTEC
HO1065	文件：80.21 Kbytes Page：2 Pages	400.0MHzSAWOscillator Thisgeneral-purposeoscillatorisstabilizedbysurface-acoustic-wave(SAW)technology.Fundamentaloscillationat400.0MHzeliminatesallinternallygeneratedspuriousoutputsexceptintegralharmonicsof400.0MHz.Thecompactsizeoftherugged,metal,hermetically-sealedcasemakesthisosci	rfm rfm	rfm
HYESD1065M	文件：298.58 Kbytes Page：4 Pages	6ChannelLowCapacitanceESDProtectionDiodeArray	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
HYESD1065P	文件：298.58 Kbytes Page：4 Pages	6ChannelLowCapacitanceESDProtectionDiodeArray	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
IRPT1065A	文件：206.08 Kbytes Page：12 Pages	PowerModulefor1hpMotorDrives TheIRPT1065APowerModule TheIRPT1065Apowermodule,showninfigure1,isachipandwireepoxyencapsulatedmodule.Ithousesinputrectifiers,brakeIGBTandfreewheelingdiode,outputinverter,currentsenseshuntsandNTCthermistor.Thesingle-phaseinputbridgerectifiersareratedat80	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISFM1065	文件：562.77 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多TB1065A供应商更新时间2024-6-6 9:18:00

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