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UPA1726G	文件：231.24 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=9.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=6.0A) RDS(on)2=10.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=6.0A) RDS(on)3=12.5mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=6.0A) •LowCiss:Ciss=2700pFTYP. •Built	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1726G	文件：58.91 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1726isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandsoon. FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=9.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=6.0A) RDS(on)2=10.0mΩMAX.(VGS=4.0	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=9.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=6.0A) RDS(on)2=10.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=6.0A) RDS(on)3=12.5mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=6.0A) •LowCiss:Ciss=2700pFTYP. •Built

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheµPA1726isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandsoon. FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=9.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=6.0A) RDS(on)2=10.0mΩMAX.(VGS=4.0

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