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T835-600G	文件：274.24 Kbytes Page：21 Pages	型号：T835-600G；Package：D2PAK；Snubberless™, logic level and standard 8 A Triacs Features •On-statermscurrent,IT(RMS)8A •Repetitivepeakoff-statevoltage,VDRM/VRRM600Vto800V •Triggeringgatecurrent,IGT5to50mA Description Availableeitherinthrough-holeandsurface-mountpackages,thesedevicesare suitableforgeneralpurposeACswitching.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
T835-600G	文件：274.24 Kbytes Page：21 Pages	型号：T835-600G-TR；Package：D2PAK；Snubberless™, logic level and standard 8 A Triacs Features •On-statermscurrent,IT(RMS)8A •Repetitivepeakoff-statevoltage,VDRM/VRRM600Vto800V •Triggeringgatecurrent,IGT5to50mA Description Availableeitherinthrough-holeandsurface-mountpackages,thesedevicesare suitableforgeneralpurposeACswitching.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

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T835-600G

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型号：T835-600G；Package：D2PAK；Snubberless™, logic level and standard 8 A Triacs

Features •On-statermscurrent,IT(RMS)8A •Repetitivepeakoff-statevoltage,VDRM/VRRM600Vto800V •Triggeringgatecurrent,IGT5to50mA Description Availableeitherinthrough-holeandsurface-mountpackages,thesedevicesare suitableforgeneralpurposeACswitching.They

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T835-600G

文件：274.24 Kbytes

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型号：T835-600G-TR；Package：D2PAK；Snubberless™, logic level and standard 8 A Triacs

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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详细参数

型号：
T835-600G
功能描述：
双向可控硅 8.0 Amp 600 Volt
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
开启状态：
RMS
电流(It_RMS)：
16 A
不重复通态电流：
120 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
600 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
开启状态电压：
保持电流（Ih
最大值）：
45 mA
栅触发电压(Vgt)：
1.3 V
栅触发电流(Igt)：
1.75 mA
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220AB

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