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N-Channel0-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitchesforPortableDevices | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,3A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-89package. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,16A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,16A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS( Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,4.7A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | CET-MOS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,4.7A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,4.5A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,16A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS( Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | CET-MOS |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Triac
- 性质：
- 封装形式：
特殊封装
- 极限工作电压：
500V
- 最大电流允许值：
40A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
F-53
- vtest：
500
- htest：
999900
- atest：
40
- wtest：
0
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MODULE |
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2 |
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23+ |
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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